Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheets - Полевые транзисторные сборки и модули - 2

Подраздел: "Полевые транзисторные сборки и модули"
Найдено: 479 Вывод: 21-40

Вид: Список / Картинки

  1. TC2320 consists of a high voltage, low threshold N- and P-channel MOSFET in an 8-Lead SOIC package
  2. TC1550 consists of a high voltage N-channel and P-channel MOSFET in an 8-Lead SOIC package
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023
  1. TC1550 consists of a high voltage N-channel and P-channel MOSFET in an 8-Lead SOIC package
  2. DMOS transistor array
  1. DMOS transistor array
  2. DMOS transistor array
  3. DMOS transistor array
  4. DMOS transistor array
  5. DMOS transistor array
  6. DMOS transistor array
  7. Сдвоенный мощный MOSFET семейства FastIRFET в улучшенных корпусах PQFN размером 4 × 5 мм
  8. Datasheet AUIRF7341Q - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8
    Наименование модели: AUIRF7341Q Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE MOSFET PD - 96362A AUIRF7341Q HEXFET® Power MOSFET 8 7 ...
  9. Datasheet PMGD290XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD290XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 26 February ...
  10. Datasheet PMGD400UN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD400UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 3 March 2004 ...
  11. Datasheet ZXMP6A18DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 4.8 А, SO8
    Наименование модели: ZXMP6A18DN8TA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 4.8 А, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMP6A18DN8 DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) ...
  12. Datasheet ZXMHC3F381N8TC - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8
    Наименование модели: ZXMHC3F381N8TC Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: A Product Line of Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8 30V SO8 Complementary enhancement ...
  13. Datasheet ZXMHC3A01T8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8
    Наименование модели: ZXMHC3A01T8TA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMHC3A01T8 COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE SUMMARY N-Channel = ...
  14. Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8
    Наименование модели: ZXMC4A16DN8TA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMC4A16DN8 COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= ...
  15. Datasheet ZXMC4559DN8TC - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 60 В, 4.7A/3.9A, SO8
    Наименование модели: ZXMC4559DN8TC Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NP CH, 60 В, 4.7A/3.9A, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMC4559DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = ...
  16. Datasheet DMN2990UDJ - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 20 В, SOT963
    Наименование модели: DMN2990UDJ Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 20 В, SOT963 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DMN2990UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(ON) max ...
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России