OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet SP8M2FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 30 В — Даташит

Rohm SP8M2FU6TB

Наименование модели: SP8M2FU6TB

10 предложений от 4 поставщиков
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC
Utmel
Весь мир
SP8M2FU6TB
Rohm
от 21 ₽
Akcel
Весь мир
SP8M2FU6TB
Rohm
от 22 ₽
ТаймЧипс
Россия
SP8M2FU6TB
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SP8M2FU6TB
Rohm
по запросу
Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 30 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SP8M2
Transistors
4V Drive Nch+Pch MOS FET
SP8M2
Structure Silicon N-channel MOS FET / Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 150 МОм
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Корпус транзистора: SOP
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Тип корпуса: SOP-8
  • Способ монтажа: SMD
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 14 А
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A
  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet SP8M2FU6TB - Rohm MOSFET, DUAL, NP, 30 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России