Datasheet Samsung K6R1016C1D-J(T,E)C(I) 10/12 — Даташит
Производитель | Samsung |
Серия | K6R1016V1D |
Модель | K6R1016C1D-J(T,E)C(I) 10/12 |
64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)
Datasheets
Datasheet K6R1016V1D
PDF, 269 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 25 сен 2020, Страниц: 11
CMOS SRAM
CMOS SRAM
Выписка из документа
Цены
Модельный ряд
Серия: K6R1016V1D (6)
- K6R1004C1D-JC(I) 10/12 K6R1004V1D-JC(I) 08/10 K6R1008C1D-J(T)C(I) 10/12 K6R1008V1D-J(T)C(I) 08/10 K6R1016C1D-J(T,E)C(I) 10/12 K6R1016V1D-J(T,E)C(I) 08/10
Варианты написания:
K6R1016C1DJ(T,E)C(I) 10/12, K6R1016C1D J(T,E)C(I) 10/12, K6R1016C1D-J(TE)C(I) 10/12, K6R1016C1D-J(T E)C(I) 10/12